Αριθμός εξαρτήματος GB100XCP12-227 Κατασκευαστής GeneSiC Semiconductor Κατηγορίες IGBT Modules RoHS Φύλλο δεδομένων GB100XCP12-227 Περιγραφή IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
Κατασκευαστής GeneSiC Semiconductor Κατηγορίες IGBT Modules Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V Configuration IGBT-Inverter Gate-Emitter Leakage Current 400 nA Maximum Operating Temperature + 175 C Minimum Operating Temperature - 40 C Package / Case SOT-227 Packaging Bulk Product IGBT Silicon Carbide Modules