SI1026X-T1-GE3

Οι εικόνες είναι μόνο για αναφορά
Αριθμός εξαρτήματος
SI1026X-T1-GE3
Κατασκευαστής
Vishay Semiconductors
Κατηγορίες
MOSFET
RoHS
Φύλλο δεδομένων
Περιγραφή
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατασκευαστής
Vishay Semiconductors
Κατηγορίες
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
2 Channel
Package / Case
SC-89-6
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
280 mW
Qg - Gate Charge
600 pC
Rds On - Drain-Source Resistance
1.4 Ohms
Technology
SI
Tradename
TrenchFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

Τελευταίες Κριτικές

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Works. Find the price of this product is very good

Works. Recommend

Seems well have not tested

I received the product right, thank you very much 2018/12/03 ★★★★★

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για SI10

  • SI1026X-T1-GE3 Ολοκληρωμένο
  • SI1026X-T1-GE3 RoHS
  • SI1026X-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF
  • SI1026X-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων
  • SI1026X-T1-GE3 Μέρος
  • SI1026X-T1-GE3 Αγορά
  • SI1026X-T1-GE3 Διανομέας
  • SI1026X-T1-GE3 PDF
  • SI1026X-T1-GE3 Συστατικό
  • SI1026X-T1-GE3 IC
  • SI1026X-T1-GE3 Λήψη PDF
  • SI1026X-T1-GE3 Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων
  • SI1026X-T1-GE3 Προμήθεια
  • SI1026X-T1-GE3 Προμηθευτής
  • SI1026X-T1-GE3 Τιμή
  • SI1026X-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων
  • SI1026X-T1-GE3 Εικόνα
  • SI1026X-T1-GE3 Εικόνα
  • SI1026X-T1-GE3 Καταγραφή εμπορευμάτων
  • SI1026X-T1-GE3 Στοκ
  • SI1026X-T1-GE3 Πρωτότυπο
  • SI1026X-T1-GE3 Φτηνότερες
  • SI1026X-T1-GE3 Εξοχος
  • SI1026X-T1-GE3 Χωρίς μόλυβδο
  • SI1026X-T1-GE3 Προσδιορισμός
  • SI1026X-T1-GE3 Hot προσφορές
  • SI1026X-T1-GE3 Διάλειμμα Τιμή
  • SI1026X-T1-GE3 Τεχνικά δεδομένα